Моя заявка (0)
IKW50N65ES5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 60,5А, 137Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070147327
Артикул
IKW50N65ES5XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
I(C)
50 A
t(r)
9 nS
V(CE)
650 V
Brand:
Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 585 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор IGBT, 650В, 60,5А, 137Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT

Технические параметры

I(C)50 A
t(r)9 nS
V(CE)650 V
Brand:Infineon Technologies
P(tot)274 W
td(on)18 nS
ТипIGBT
PackageTO247-3
Series:TRENCHSTOP 5 S5
td(off)141 nS
MountingTHT
V(CEsat)1.35 V
BodydiodeYES
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
Packaging:Tube
TechnologyHighSpeed
Tradename:TRENCHSTOP
Вес, г6.5
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:IGBTs
Energy Rating1.78mJ
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:IKW50N65ES5 SP001319682
Switching Speed30kHz
Gate Capacitance3100pF
Мощностьрассеиваемая(Pd)-274 Вт
ОписаниеIGBT Trench 650 V 80 A 274 W Through Hole PG-TO247-3
УпаковкаTUBE, 30 шт.
Product Category:IGBT Transistors
Number of Transistors1
Pd - Power Dissipation:274 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation274 W
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Maximum Continuous Collector Current80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.35 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240
Диапазон рабочих температур-40…+175 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1

Техническая документация