IKW50N60TFKSA1, Транзистор БТИЗ, универсальный, 80 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070109484
- Артикул
- IKW50N60TFKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 50 A
- RoHS
- Details
- t(r)
- 29 nS
- Brand
- Infineon Technologies
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKW50N60T от производителя INFINEON представляет собой мощный IGBT компонент, выполненный в корпусе PG-TO247-3 для монтажа типа THT. Он способен выдерживать ток коллектора до 80А и напряжение коллектор-эмиттер до 600В, обладая при этом мощностью в 333Вт. Эта характеристика делает его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется высокая надежность и эффективность. Код товара IKW50N60T подчеркивает его уникальность и гарантирует соответствие высоким стандартам качества INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 80 Напряжение коллектор-эмиттер, В 600 Мощность, Вт 333 Корпус PG-TO247-3
Технические параметры
| I(C) | 50 A |
| RoHS | Details |
| t(r) | 29 nS |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(CE) | 600 V |
| Width | 5.03 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 20.9 mm |
| Length | 15.9 mm |
| P(tot) | 333 W |
| Series | IKW50N60 |
| td(on) | 26 nS |
| Package | TO247-3 |
| Series: | Trenchstop IGBT3 |
| td(off) | 299 nS |
| Mounting | THT |
| V(CEsat) | 1.5 V |
| Bodydiode | YES |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Packaging: | Tube |
| Technology | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 8.62 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part # Aliases | IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TXK SP000054888 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IKW5N6TXK SP000054888 IKW50N60TFKSA1 |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Pd - Power Dissipation | 333 W |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max | 50 A |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.9 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |