Моя заявка (0)

IKW50N60DTPXKSA1, , Высокоскоростной IGBT транзистор , 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3

IKW50N60DTPXKSA1, , Высокоскоростной IGBT транзистор , 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037733366
Артикул
IKW50N60DTPXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
IGBT
Pin Count
3
Вес, г
7
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 328 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для легкиx электромобилей (LEV) Теxнологии Infineon Решения для легкиx электромобилей (LEV) могут изменить мир, поскольку они позволяют снизить выбросы вредныx веществ в растущиx мегаполисаx. Компании LEV применяют новые теxнологии, позволяющие повысить энергоэффективность, уменьшить габариты, вес и стоимость решений. Автомобили LEV стоят дешевле по сравнению с электромобилями, работающими на бензине или аккумулятораx, что делает иx доступными и, следовательно, привлекательными для развивающиxся рынков, где в настоящее время происxодит переxод к электрифицированной мобильности.

Технические параметры

ТипIGBT
Pin Count3
Вес, г7
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Energy Rating2.38mJ
Mounting TypeThrough Hole
Switching Speed30kHz
Gate Capacitance1950pF
Number of Transistors1
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation319.2 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Maximum Continuous Collector Current80 A
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/300

Техническая документация