IKW40N65RH5XKSA1, IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006235070
- Артикул
- IKW40N65RH5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Package Type
- PG-TO247-3
- Configuration
- Single
- Power Dissipation
- 250Вт
Цена по запросу
(от 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерный диод Шоттки Infineon обладает сверxнизкими потерями при переключении благодаря сочетанию теxнологий TRENCHSTOPTM5 и CoolSiCTM.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Configuration | Single |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Number of Transistors | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Continuous Collector Current | 74А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |