IKW40N65ET7, TO-247-3 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025235818
- Артикул
- IKW40N65ET7
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 40 A
- t(r)
- 20 nS
- V(CE)
- 650 V
- Brand:
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 513,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Пакеты Duopack IGBT с низким уровнем потерь Infineon Technologies Пакеты Duopack IGBT с низким уровнем потерь обеспечивают надежную защиту от влажности благодаря теxнологиям Trenchstop™ и Fieldstop™. IGBT Duopack с низкими потерями имеют очень мягкий антипараллельный диод с быстрым восстановлением, малый ток на выxоде и очень низкий VCEsat.
Технические параметры
| I(C) | 40 A |
| t(r) | 20 nS |
| V(CE) | 650 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 230.8 W |
| td(on) | 19 nS |
| Package | TO-247-3 |
| td(off) | 330 nS |
| Mounting | THT |
| V(CEsat) | 1.35 V |
| Bodydiode | YES |
| Packaging | TUBE |
| Automotive | NO |
| Packaging: | Tube |
| Technology | IGBT7 T7 |
| Вес, г | 8.21 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKW40N65ET7 SP005403468 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 230.8 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 76 A |