IKW30N65ET7XKSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030729052
- Артикул
- IKW30N65ET7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- FS(Field Stop)
- Вес, г
- 7.96
- Серия
- Trenchstop IGBT7
- Package Type
- PG-TO247-3
Цена по запросу
(от 462,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
188 Вт 30 А 650 В FS (полевой выключатель) TO-247-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
| Type | FS(Field Stop) |
| Вес, г | 7.96 |
| Серия | Trenchstop IGBT7 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (Ic) | 30A |
| Power Dissipation (Pd) | 188W |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 20ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.59mJ |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 180nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 245ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.5mJ |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 80ns |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 1.65V@15V, 30A |
| Pd - рассеивание мощности | 188 W |
| Другие названия товара № | IKW30N65ET7 SP005348289 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |