Транзистор IGBT IKW30N60H3FKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062671535
- Артикул
- IKW30N60H3FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 60 A
- t(r)
- 33 nS
- V(CE)
- 600 V
- P(tot)
- 187 W
Цена по запросу
(от 281 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В, оснащенныx теxнологией TrenchStop™.
Технические параметры
| I(C) | 60 A |
| t(r) | 33 nS |
| V(CE) | 600 V |
| P(tot) | 187 W |
| td(on) | 21 nS |
| Package | TO247-3 |
| td(off) | 207 nS |
| Mounting | Through Hole |
| V(CEsat) | 1.95 V |
| Bodydiode | YES |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | HighSpeed |
| Вес, г | 7 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | Single |
| Energy Rating | 1.72mJ |
| Mounting Type | Through Hole |
| Gate Capacitance | 1630pF |
| Power Dissipation | 187Вт |
| Collector Current (DC) | 60(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Continuous Collector Current | 30А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.4В |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |