Моя заявка (0)

IKW30N60DTPXKSA1, , IGBT транзистор , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3

IKW30N60DTPXKSA1, , IGBT транзистор , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038948053
Артикул
IKW30N60DTPXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IGBT Type
Trench Field Stop
Pin Count
3
Input Type
Standard
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 414 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В, оснащенныx теxнологией TrenchStop™.

Технические параметры

IGBT TypeTrench Field Stop
Pin Count3
Input TypeStandard
Вес, г1
Gate Charge130 nC
Power - Max200 W
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Energy Rating1.13mJ
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Test Condition400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Switching Speed30kHz
Gate Capacitance1050pF
Switching Energy710µJ(on), 420µJ(off)
Td (on/off) @ 25°C15ns/179ns
Number of Transistors1
Operating Temperature-40°C ~ 175°C(TJ)
Supplier Device PackagePG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation200 W
Reverse Recovery Time (trr)76 ns
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Current - Collector (Ic) (Max)53 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Maximum Continuous Collector Current53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*48*45/300

Техническая документация