IKW20N60H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075480670
- Артикул
- IKW20N60H3FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
- Technology
- TRENCHSTOP™
Цена по запросу
(от 526 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | TRENCHSTOP™ |
| Вес, г | 6.1 |
| Gate charge | 0.12µC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-247 |
| Turn-on time | 28ns |
| Energy Rating | 1.07mJ |
| Mounting Type | Through Hole |
| Turn-off time | 205ns |
| Kind of package | tube |
| Switching Speed | 100kHz |
| Gate Capacitance | 1100pF |
| Collector current | 20A |
| Power dissipation | 85W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 80A |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |