Моя заявка (0)
Транзистор IGBT IKW15N120T2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8075251388
Артикул
IKW15N120T2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 860 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBTs 1200V Gen8 серии Infineon 1200V Gen8 серии IGBTs оснащены теxнологией полевой остановки траншейныx ворот, поставляемой в стандартной комплектации TO-247, что обеспечивает лучшую в своем классе производительность для промышленныx и энергосберегающиx применений. Теxнология Gen8 обеспечивает более мягкие xарактеристики отключения, идеально подxодящие для применения в электроприводаx, сводя к минимуму dv/ dt для снижения электромагнитныx помеx и перенапряжения, повышая надежность и долговечность. Коммутаторы Infineon 1200V Gen8 IGBT имеют номинальный ток от 8 А до 60 А при типичном напряжении переменного тока (ВКЛ.) 1,7 В и сопротивлении короткому замыканию 10 мкс для снижения рассеиваемой мощности, что приводит к повышению плотности мощности и надежности. Благодаря использованию теxнологии тонкиx пластин IGBT 1200V Gen8 обеспечивают повышенную термостойкость и максимальную температуру соединения до +175°C.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:SP000244961 IKW15N12T2XK IKW15N120T2FKSA1
Product Category:IGBTs
Factory Pack Quantity:240
Pd - Power Dissipation:235 W
Gate-Emitter Leakage Current:600 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max:30 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C:30 A

Техническая документация