IKW08T120, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 8А, 70Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031094975
- Артикул
- IKW08T120
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вид
- IGBT
- Тип
- БТИЗ
- Вес, г
- 4.9
- Длина
- 16.03 mm
Цена по запросу
(от 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
Технические параметры
| Вид | IGBT |
| Тип | БТИЗ |
| Вес, г | 4.9 |
| Длина | 16.03 mm |
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Высота | 21.1 mm |
| Ширина | 5.16 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Другие названия товара № | IKW08T120FKSA1 IKW8T12XK SP000013885 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Непрерывный коллекторный ток | 16 A |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |