IKW08N120CS7XKSA1, 106W -40°C~+175°C@(Tj) 21A 1200V Trench FIeld Stop 24A 0.4mJ 0.37mJ TO-247-3 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070078402
- Артикул
- IKW08N120CS7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- FS(Field Stop)
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 8.07
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 458 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройство Infineon 8 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete поставляется в корпусе TO-247 с диодом EC7 внутри. Он обеспечивает низкий уровень VCEsat для достижения очень низкиx потерь проводимости в целевыx приложенияx, а встроенный диод с очень мягким и быстрым излучением, управляемый излучателем, помогает свести к минимуму потери при переключении, что в целом приводит к низким суммарным потерям.
Технические параметры
| Type | FS(Field Stop) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8.07 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Collector Current (Ic) | 21A |
| Power Dissipation (Pd) | 106W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 106 W |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 17ns |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.37mJ |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 52nC |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.4mJ |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 130ns |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 8 A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2V@15V, 8A |