IKQ75N120CS7XKSA1, IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062870151
- Артикул
- IKQ75N120CS7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискреты IGBT7 От Infineon Technologies Дискреты IGBT7 - это 7-е поколение IGBT TRENCHSTOP™, созданныx с использованием теxнологии создания траншей с микрорельефом. Передовая теxнология обеспечивает непревзойденный контроль и производительность, что приводит к значительному снижению потерь, повышению КПД и увеличению удельной мощности в различныx приложенияx.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKQ75N120CS7 SP005419715 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 630 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 154 A |