IKP20N65H5XKSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070054949
- Артикул
- IKP20N65H5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220-3
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 2.03
- Gate charge
- 48nC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKP20N65H5XKSA1 от известного производителя INFINEON — это высококачественный компонент для силовой электроники, который станет незаменимым элементом в широком спектре электротехнических применений. Данный IGBT транзистор характеризуется током коллектора в 20 А и напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, что обеспечивает отличную производительность в условиях высоких напряжений. Мощность устройства составляет 125 Вт, что позволяет использовать его в мощных системах. Монтаж производится с помощью технологии THT, обеспечивая надежное соединение. Корпус PG-TO220-3 гарантирует удобство монтажа и достаточный теплоотвод. Транзистор IKP20N65H5XKSA1 идеален для инверторов, импульсных источников питания и других устройств силовой электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 20 Напряжение коллектор-эмиттер, В 650 Мощность, Вт 125 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 2.03 |
| Gate charge | 48nC |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Kind of package | tube |
| Collector current | 20A |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | IGBT |
| Manufacturer series | H5 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 60A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |