IKP10N60TXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002500181
- Артикул
- IKP10N60TXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220AB
- I(C)
- 24 A
- V(CE)
- 600 V
- P(tot)
- 110 W
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 170 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 10А, 110Вт, TO220 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| I(C) | 24 A |
| V(CE) | 600 V |
| P(tot) | 110 W |
| td(on) | 12 nS |
| Package | TO220-3 |
| td(off) | 215 nS |
| Mounting | THT |
| V(CEsat) | 1.5 V |
| Bodydiode | YES |
| Packaging | TUBE |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchStop |
| Вес, г | 3.82 |
| Gate charge | 62nC |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO-220-3 |
| Kind of package | tube |
| Collector current | 10A |
| Power dissipation | 110W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Number of Transistors | 3 |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Pulsed collector current | 30A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 24 A |