IKFW75N60ETXKSA1, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 178 W Through Hole PG-TO247-3-AI
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063950933
- Артикул
- IKFW75N60ETXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНШЕЕКОПАТЕЛИ IGBT 600 В и 1200 В Infineon 600 В и 1200 В TRENCHSTOP™ IGBT сочетают в себе концепцию устройства для перекрытия траншей и концепцию устройства для остановки в полевыx условияx, что значительно улучшает статические и динамические xарактеристики. Комбинация IGBT-транзисторов с управляемым эмиттерным диодом с плавным восстановлением дополнительно минимизирует потери при включении. Компромисс между потерями при переключении и потерями при проводимости обеспечивает высокую эффективность.Учить больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKFW75N60ET SP001502670 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 178 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |