Моя заявка (0)
IKFW50N60DH3XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002317058
Артикул
IKFW50N60DH3XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 311 ₽)
Минимальный заказ: 94 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторная микросxема IGBT N-CH 600V 53A 145 Вт с 3-контактным разъемом (3 + вкладки) TO-247

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Supplier PackageTO-247
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаIGBT Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-TO247-3
Maximum Power Dissipation (mW)145
Maximum Gate Emitter Voltage (V)±20
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)600
Maximum Continuous Collector Current (A)53
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)0.1
Pd - рассеивание мощности145 W
Другие названия товара №IKFW50N60DH3 SP001672364
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)1.85
Размер фабричной упаковки240
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.60 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C53 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V

Техническая документация