IKD15N60RF, TO-252-3 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017631979
- Артикул
- IKD15N60RF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вес, г
- 0.37
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Цена по запросу
(от 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вес, г | 0.37 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IKD15N6RFXT SP000939368 IKD15N60RFATMA1 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |