Моя заявка (0)
IKD06N60RFATMA1, 600В 12А 100Вт ТО251

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017541331
Артикул
IKD06N60RFATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.426
Серия
RC
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание 600В 12А 100Вт ТО251 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.426
СерияRC
Channel TypeN
Package TypePG-TO252
КорпусPG-TO252-3
ConfigurationSingle
ТехнологияSi
Number of Transistors1
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаIGBT Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Maximum Power Dissipation53.6 W
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Maximum Continuous Collector Current6.5 A
Pd - рассеивание мощности100 W
Другие названия товара №IKD06N60RF IKD6N6RFXT SP000939364
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
Рабочая температура (Tj), °C-40…+175
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Наличие встроенного диодаДа
Размер фабричной упаковки2500
Максимальный ток КЭ при 25°C, A12
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Импульсный ток коллектора (Icm), А18
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C12 A
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт100
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.2 V
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс7
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс106

Техническая документация