IKD04N60RFATMA1, IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062865703
- Артикул
- IKD04N60RFATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.32
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- RC
- Высота
- 2.41 mm
Цена по запросу
(от 112,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
Технические параметры
| Вес, г | 0.32 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | RC |
| Высота | 2.41 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Другие названия товара № | IKD04N60RF SP000942932 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 8 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |