Моя заявка (0)
IKB40N65ES5ATMA1, IGBTs INDUSTRY

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006224583
Артикул
IKB40N65ES5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Package Type
PG-TO263-3
Maximum Power Dissipation
230 W
Цена по запросу
(от 409,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор пятого поколения с изолированным затвором серии Infineon high speed switching. Высокая эффективность

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Package TypePG-TO263-3
Maximum Power Dissipation230 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20 V, ±30 V
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Maximum Continuous Collector Current79 A

Техническая документация