Моя заявка (0)
IKB40N65EH5ATMA1, Транзистор IGBT, 650В, 46А, 125Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070107942
Артикул
IKB40N65EH5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
2
Package Type
PG-TO247-3
Maximum Power Dissipation
333 W
Цена по запросу
(от 371,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокоскоростной биполярный транзистор Infineon с изолированным затвором оснащен антипараллельным диодом rapid 1 на полный номинальный ток.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2
Package TypePG-TO247-3
Maximum Power Dissipation333 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20 V, ±30 V
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Maximum Continuous Collector Current74 A

Техническая документация