IKB30N65EH5ATMA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001451499
- PartNumber
- IKB30N65EH5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- Trenchstop IGBT5
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Tradename:
- TRENCHSTOP
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT-транзисторы TRENCHSTOP™ 5 от Infineon IGBT-транзисторы Infineon TRENCHSTOP™ 5 - это новое поколение тонкопластинчатыx IGBT (биполярныx транзисторов с изолированным затвором), которые отличаются значительно меньшими потерями проводимости и коммутации по сравнению с ведущими решениями на сегодняшний день. TRENCHSTOP 5 разработан для применений с частотой коммутации >10 кГц. Толщина пластины уменьшена более чем на 25%, что позволяет значительно снизить потери при коммутации и проводимости, обеспечивая при этом прорывное напряжение в 650 В. Этот качественный скачок в эффективности открывает перед дизайнерами новые возможности для изучения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | Trenchstop IGBT5 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 1.56 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IKB30N65EH5 SP001502648 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 55 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 55 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |