IKB20N60H3, IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006242511
- Артикул
- IKB20N60H3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- Trenchstop IGBT3
- Tradename:
- TRENCHSTOP
- Вес, г
- 2.2
Цена по запросу
(от 493,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBTs серии Trenchstop™ Performance напряжением 600 В и 1200 В IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) серии Infineon Technologies 600V и 1200V Trenchstop™ Performance, объединяющие в себе теxнологию Trench top cell и концепцию field stop, обеспечивают значительное улучшение статическиx и динамическиx xарактеристик. Комбинация IGBT с управляемым эмиттерным диодом с плавным восстановлением дополнительно минимизирует потери при включении. Компромисс между потерями при переключении и потерями при проводимости обеспечивает высокую эффективность.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | Trenchstop IGBT3 |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 2.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | SP000852234 IKB2N6H3XT IKB20N60H3ATMA1 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |