IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554578
- Артикул
- IKB15N65EH5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Package Type
- PG-TO263-3
- Maximum Power Dissipation
- 105 W
Цена по запросу
(от 643,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Быстродействующий биполярный транзистор Infineon с изолированным затвором в сочетании с антипараллельным диодом rapid 1 с полным номинальным током также имеет пробивное напряжение 650 В.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |