Моя заявка (0)
IKB15N60T, IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006208104
Артикул
IKB15N60T
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Вес, г
2
Technology:
Si
Subcategory:
IGBTs
Цена по запросу
(от 253,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBT серии Trenchstop™ Performance на 600 В и 1200 В Теxнологии Infineon 600 В и 1200 В (биполярные транзисторы с изолированным затвором) серии Trenchstop™ Performance сочетают в себе концепцию Trench top cell и field stop, что значительно улучшает статические и динамические xарактеристики. Комбинация IGBT с управляемым эмиттерным диодом с плавным восстановлением дополнительно минимизирует потери при включении. Компромисс между потерями при переключении и потерями при проводимости обеспечивает высокую эффективность.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Part # Aliases:SP000054882 IKB15N6TXT IKB15N60TATMA1
Product Category:IGBTs
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:130 W
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C:26 A

Техническая документация