IKB10N60TATMA1, Одиночный транзистор IGBT, 10А, 2,05В, 110Вт, 600В, TO-263, 3 контакта
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024651696
- Артикул
- IKB10N60TATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 9.45 mm
- Height
- 4.57 mm
Цена по запросу
(от 111,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Одиночный транзистор IGBT, 10А, 2,05В, 110Вт, 600В, TO-263, 3 контакта Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 9.45 mm |
| Height | 4.57 mm |
| Length | 10.31 mm |
| Series | XKB10N60 |
| Packaging | Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.65 |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-263-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Part # Aliases | IKB10N60T IKB10N60TXT SP000014833 |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Number of Transistors | 1 |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Continuous Collector Current | 24А |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT3 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Continuous Collector Current Ic Max | 18 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 24 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |