Моя заявка (0)

IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack

IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072276004
Артикул
IKA10N60TXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
IGBT
Pin Count
3
Вес, г
4.7
Время
задержки включения/выключения-12/215 нс
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 36 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А

Технические параметры

ТипIGBT
Pin Count3
Вес, г4.7
Времязадержки включения/выключения-12/215 нс
Package TypePG-TO220-3
Mounting TypeThrough Hole
Мощностьрассеиваемая(Pd)-30 Вт
Описание600V, 11.7A, 30W IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Power Dissipation30Вт
Ток утечкизатвор-эмиттер-100 nA
Напряжениенасыщения коллектор-эмиттер-1.5 V
Number of Transistors1
Maximum Power Dissipation30 W
Способ монтажаThrough Hole
Continuous Collector Current11.7А
Maximum Gate Emitter Voltage+/-20V
Collector Emitter Voltage Max600В
Максимальный токколлектора(Iк max)-11.7 А
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Линейка ПродукцииTRENCHSTOP
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector Emitter Saturation Voltage1.5В
Maximum Continuous Collector Current11.7 A
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Диапазон рабочих температур-40…+175 °С
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимально допустимое напряжениеколлектор-эмиттер(VCEO)-600 V; напряжение затвор-эмиттер-20 V

Техническая документация