Моя заявка (0)
IHW50N65R6XKSA1, 251W -40°C~+175°C@(Tj) 100A 650V 150A 0.66mJ 1.5mJ TO-247-3 IGBTs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017669399
Артикул
IHW50N65R6XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
9.4
Package Type
PG-TO247-3
Maximum Power Dissipation
251 W
Цена по запросу
(от 453 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon IHW50N65R6 - это IGBT-транзистор напряжением 650 В, 50 А с монолитно интегрированным диодом в корпусе TO-247 с монолитно интегрированным диодом, разработанный для удовлетворения высокиx требований при индукционном нагреве с использованием резонансной топологии полумоста.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г9.4
Package TypePG-TO247-3
Maximum Power Dissipation251 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Maximum Continuous Collector Current83 A

Техническая документация