IHW50N65R6XKSA1, IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012544349
- Артикул
- IHW50N65R6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.839
- Package Type
- PG-TO247-3
- Maximum Power Dissipation
- 251 W
Цена по запросу
(от 611 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon IHW50N65R6 - это IGBT-транзистор напряжением 650 В, 50 А с монолитно интегрированным диодом в корпусе TO-247 с монолитно интегрированным диодом, разработанный для удовлетворения высокиx требований при индукционном нагреве с использованием резонансной топологии полумоста.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.839 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Maximum Power Dissipation | 251 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 83 A |