IHW50N65R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002219332
- Артикул
- IHW50N65R5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
- Technology
- TRENCHSTOP™ 5
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | TRENCHSTOP™ 5 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | TRENCHSTOP 5 RC-H |
| Gate charge | 230nC |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Turn-on time | 50ns |
| Turn-off time | 218ns |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Collector current | 50A |
| Power dissipation | 141W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Pulsed collector current | 150A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Maximum Power Dissipation | 282 W |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Features of semiconductor devices | reverse conducting IGBT(RC-IGBT) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Pd - рассеивание мощности | 282 W |
| Другие названия товара № | IHW50N65R5 SP001133104 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |