IHW40N65R6XKSA1, Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3; single transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025870283
- Артикул
- IHW40N65R6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6.11
Цена по запросу
(от 505,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon IHW40N65R6 - это IGBT-транзистор напряжением 650 В, 40 А с монолитно интегрированным диодом в корпусе TO-247 с монолитно интегрированным диодом, разработанный для удовлетворения высокиx требований при индукционном нагреве с использованием резонансной топологии полумоста.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.11 |
| Gate charge | 159nC |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Turn-on time | 36ns |
| Turn-off time | 256ns |
| Kind of package | tube |
| Collector current | 54A |
| Power dissipation | 105W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 120A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Features of semiconductor devices | reverse conducting IGBT(RC-IGBT) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |