Моя заявка (0)

IHW40N135R5XKSA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 1,35кВ, 40А, 197Вт, TO247-3

IHW40N135R5XKSA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 1,35кВ, 40А, 197Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070235187
Артикул
IHW40N135R5XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
TO247-3
I(C)
40 A
Brand
Infineon
V(CE)
1350 V
Цена по запросу
(от 477 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт

Технические параметры

CaseTO247-3
I(C)40 A
BrandInfineon
V(CE)1350 V
P(tot)394 W
PackageTO247-3
td(off)410 nS
MountingThrough Hole
V(CEsat)1.65 V
BodydiodeYES
PackagingRail/Tube
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyTRENCHSTOP™ RC
Вес, г6.11
Gate charge305nC
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Package TypePG-TO247-3
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
Turn-off time0.5µs
Kind of packagetube
Collector current40A
Power Dissipation394Вт
Type of transistorIGBT
Gate-emitter voltage±20V
Collector Current (DC)80(A)
Pulsed collector current120A
Collector-emitter voltage1.35kV
Maximum Power Dissipation394 W
Operating Temperature (Max)175C
Operating Temperature (Min)-40C
Continuous Collector Current80А
Maximum Gate Emitter Voltage±20 V, ±25 V
Collector Emitter Voltage Max1.35кВ
Gate to Emitter Voltage (Max)±20(V)
Features of semiconductor devicesreverse conducting IGBT(RC-IGBT)
Maximum Collector Emitter Voltage1350 V
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector Emitter Saturation Voltage1.65В
Maximum Continuous Collector Current80 A
Operating Temperature ClassificationAUTOMOTIVEC
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация