IHW15N120E1XKSA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 1,2кВ, 15А, 62,2Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070178002
- Артикул
- IHW15N120E1XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
- Technology
- TRENCHSTOP™ RC
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | TRENCHSTOP™ RC |
| Вес, г | 6.1 |
| Серия | IGBT RC Soft Switching |
| Gate charge | 90nC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO247 |
| Turn-on time | 1940ns |
| Configuration | Single |
| Turn-off time | 1450ns |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Collector current | 15A |
| Power dissipation | 62.2W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Технология | Si |
| Number of Transistors | 1 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Pulsed collector current | 45A |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 25V |
| Features of semiconductor devices | reverse conducting IGBT(RC-IGBT) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Другие названия товара № | IHW15N120E1 SP001391908 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |