IGW75N65H5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 75А, 198Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070153740
- Артикул
- IGW75N65H5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- Trenchstop IGBT5
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 578 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon TRENCHSTOP IGBT5 переопределяет лучшие в своем классе IGBT-транзисторы, что приводит к снижению температуры соединения и корпуса, что повышает надежность устройства, обеспечивая непревзойденную производительность с точки зрения эффективности при жесткой коммутации.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | Trenchstop IGBT5 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 6.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IGW75N65H5 SP001257936 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Number of Transistors | 1 |
| Collector Current (Ic) | 120A |
| Power Dissipation (Pd) | 395W |
| Pd - Power Dissipation: | 395 W |
| Maximum Power Dissipation | 395 W |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 28ns |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 2.25mJ |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 160nC |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.95mJ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V, 75A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |