Моя заявка (0)

IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]

IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000515316
Артикул
IGW60T120FKSA1 (G60T120)
PartNumber
IGW60T120FKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
7.5
Корпус
PG-TO247-3
Технология/семейство
TRENCHSTOP and Fieldstop
Рабочая температура (Tj), °C
-40…+150
Цена по запросу
(от 1 087 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBT,1200 В, 60 А,TO247; Ток коллектора постоянного тока: 60 А; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (вкл.): 2,4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 375 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V(вкл.)ceo:1,2 кВ; Тип корпуса транзистора: TO-247; Количество контактов: 3; Рабочий режим Максимальная температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Минимальная рабочая температура: -40°C; Диапазон рабочиx температур: от -40°C до +150°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт; Тип транзистора: IGBT

Технические параметры

Вес, г7.5
КорпусPG-TO247-3
Технология/семействоTRENCHSTOP and Fieldstop
Рабочая температура (Tj), °C-40…+150
Наличие встроенного диодаНет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A100
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Импульсный ток коллектора (Icm), А150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс480

Техническая документация