IGW50N65H5FKSA1, Одиночный транзистор IGBT, 50А, 1,65В, 305Вт, 650В, TO-247, 3 контакта
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024728843
- Артикул
- IGW50N65H5FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6.19
- Серия
- Trenchstop IGBT5
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Одиночный транзистор IGBT, 50А, 1,65В, 305Вт, 650В, TO-247, 3 контакта Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.19 |
| Серия | Trenchstop IGBT5 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Energy Rating | 0.7mJ |
| Mounting Type | Through Hole |
| Gate Capacitance | 3000pF |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 305 W |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 305 W |
| Другие названия товара № | IGW50N65H5 SP001001744 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |