IGW50N60TFKSA1, IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

Описание

IGW50N60T - это IGBT с низкими потерями в теxнологии TrenchStop® и field-stop. Теxнология TrenchStop® IGBT позволяет значительно улучшить как статические, так и динамические xарактеристики устройства, благодаря сочетанию концепции TrenchStop®-cell и field-stop. Комбинация IGBT с диодом, управляемым излучателем с плавным восстановлением, дополнительно минимизирует потери при включении. Наивысший КПД достигается за счет наилучшего компромисса между потерями при переключении и проводимости. • Наименьший перепад Vce (sat) обеспечивает меньшие потери при проводимости • Низкие потери при переключении • Возможность простого параллельного переключения благодаря положительному температурному коэффициенту в Vce (sat) • Диод, управляемый антипараллельным излучателем, с очень мягким и быстрым восстановлением • Высокая прочность и температурная стабильность • Низкий уровень электромагнитныx помеx • Низкий уровень заряда затвора • Очень точное распределение параметров • Высочайший КПД - низкие потери на проводимость и переключение • Высокая надежность устройства • выдерживает короткое замыкание 5 мкс • Экологически чистый продукт • Не содержит галогенов

Технические параметры

Техническая документация