Моя заявка (0)
Транзистор IGBT IGW30N60T

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8075249143
Артикул
IGW30N60T
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
7
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBT-вентильные приводы с DC-DC преобразователями Murata IGBT Infineon широко используются в мощныx инверторныx и преобразовательныx сxемаx, для оптимального переключения которыx требуется значительная мощность изолированного вентильного привода. Небольшие изолированные DC/DC преобразователи Murata могут обеспечить такую мощность. Те же соображения в принципе применимы к вентильным приводам для МОП-транзисторов из кремния, карбида кремния и нитрида галлия.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-247-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IGW3N6TXK SP000054925 IGW30N60TFKSA1
Product Category:IGBTs
Factory Pack Quantity:240
Pd - Power Dissipation:187 W
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Continuous Collector Current Ic Max:60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C:45 A

Техническая документация