IGW30N60H3FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293601
- Артикул
- IGW30N60H3FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 60 A
- Type
- FS(Field Stop)
- t(r)
- 33 nS
- V(CE)
- 600 V
Цена по запросу
(от 286 ₽)
Минимальный заказ: 43 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание БТИЗ транзистор, 60 А, 1.95 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| I(C) | 60 A |
| Type | FS(Field Stop) |
| t(r) | 33 nS |
| V(CE) | 600 V |
| P(tot) | 187 W |
| td(on) | 21 nS |
| Package | TO247-3 |
| td(off) | 207 nS |
| Mounting | THT |
| V(CEsat) | 2.4 V |
| Bodydiode | NO |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchStop |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 60A |
| Power Dissipation (Pd) | 187W |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 21ns |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.38mJ |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 165nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 207ns |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 120A |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.38mJ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.4V@15V, 30A |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/150 |