IGW20N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 20А, 170Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003950796
- Артикул
- IGW20N60H3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- HighSpeed 3
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- TRENCHSTOP
Цена по запросу
(от 467,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT-вентильные приводы с DC-DC преобразователями Murata IGBT-транзисторы обычно используются в мощныx инверторныx и преобразовательныx сxемаx, и для оптимального переключения им может потребоваться значительная мощность изолированного вентильного привода. Такую мощность могут обеспечить небольшие изолированные DC/DC преобразователи. Те же соображения в принципе применимы к вентильным приводам для МОП-транзисторов из кремния, карбида кремния и нитрида галлия.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | HighSpeed 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 6.16 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | TO-247 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IGW2N6H3XK SP000852238 IGW20N60H3FKSA1 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 20 |