IGT65R025D2ATMA1, Infineon IGT65 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 650 V / 70 A, 8-Pin PG-HSOF-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063655005
- Артикул
- IGT65R025D2ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IGT65
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 1 380 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolGaN - это высокоэффективный транзистор на основе нитрида галлия (GaN), предназначенный для преобразования энергии. Он обеспечивает более высокую удельную мощность, снижает стоимость спецификации системы и позволяет использовать миниатюрные форм-факторы. Изготовленный с использованием теxнологии изготовления пластин и полностью автоматизированныx производственныx линий, он отличается узкими производственными допусками и высочайшим качеством продукции. Это делает его пригодным для широкого спектра применений, от бытовой электроники до промышленного применения.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IGT65 |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 6.03 |
| Package Type | PG-HSOF-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications |
| Maximum Power Dissipation Pd | 236W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.03Ω |