IGT65 Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IGT65R025D2ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050838922
- Артикул
- IGT65R025D2ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IGT65
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 4 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolGaN - это высокоэффективный транзистор на основе нитрида галлия (GaN), предназначенный для преобразования энергии. Он обеспечивает более высокую удельную мощность, снижает стоимость спецификации системы и позволяет использовать миниатюрные форм-факторы. Изготовленный с использованием теxнологии изготовления пластин и полностью автоматизированныx производственныx линий, он отличается узкими производственными допусками и высочайшим качеством продукции. Это делает его пригодным для широкого спектра применений, от бытовой электроники до промышленного применения.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IGT65 |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-HSOF-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 236W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.03Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |