Infineon IGP10N60TXKSA1 IGBT PG-TO-220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063882495
- Артикул
- IGP10N60TXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 7
- Серия
- Trenchstop IGBT3
- Package Type
- PG-TO-220-3
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 184 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Серия | Trenchstop IGBT3 |
| Package Type | PG-TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Другие названия товара № | IGP10N60T SP000683042 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 24 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |