IGP10N60T, Транзистор: IGBT, 600В, 18А, 110Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023474414
- Артикул
- IGP10N60T
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.69
- Длина
- 10 mm
- Серия
- TRENCHSTOP IGBT
- Высота
- 9.25 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGP10N60T производителя INFINEON является надежным полупроводниковым компонентом для использования в силовой электронике. Оснащенный корпусом PG-TO220-3 для монтажа THT, этот IGBT транзистор способен выдерживать ток коллектора до 18 А и напряжение коллектор-эмиттер до 600 В, обеспечивая при этом мощность до 110 Вт. Превосходный выбор для разработки высокоэффективных и надежных цепей питания и инверторов. Модель IGP10N60T отличается высокой производительностью и долговечностью, что делает ее предпочтительным решением среди профессионалов. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 18 Напряжение коллектор-эмиттер, В 600 Мощность, Вт 110 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Вес, г | 2.69 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Высота | 9.25 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Другие названия товара № | IGP10N60TXKSA1 IGP1N6TXK SP000683042 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 24 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |