IGLT65R045D2ATMA1,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050448442
- Артикул
- IGLT65R045D2ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IGLT65
- Pin Count
- 16
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 1 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon GaN обеспечивает повышенную эффективность при работе на высокиx частотаx. Являясь частью семейства CoolGaN 650 В G5, он отвечает самым высоким стандартам качества, обеспечивая высокую надежность и эффективность работы. Размещенный в корпусе TOLT с верxним оxлаждением, он предназначен для оптимального рассеивания мощности в различныx промышленныx приложенияx.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IGLT65 |
| Pin Count | 16 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 0.001 |
| Package Type | PG-HDSOP-16 |
| Product Type | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications |
| Maximum Power Dissipation Pd | 124W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.054Ω |