Моя заявка (0)

IGI60L2727B1MXUMA1, GaN FETs 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootst

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8058266009
Артикул
IGI60L2727B1MXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
8.42
Цена по запросу
(от 568,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г8.42