IGB30N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070169176
- Артикул
- IGB30N60H3ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.67
- Package Type
- PG-TO263-3
- Mounting Type
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGB30N60H3ATMA1 от производителя INFINEON является высокоэффективным компонентом для современной электроники. С монтажом типа SMD, данный IGBT транзистор обеспечивает ток коллектора до 30 А, поддерживая напряжение коллектор-эмиттер на уровне 600 В, что гарантирует его надежность и долговечность в условиях высоких нагрузок. С мощностью в 187 Вт и корпусом PG-TO263-3, он отлично подходит для широкого спектра применений, от энергетики до автомобильной промышленности. Уникальный код товара IGB30N60H3ATMA1 используется для удобства поиска и идентификации продукта в каталоге. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж SMD Ток коллектора, А 30 Напряжение коллектор-эмиттер, В 600 Мощность, Вт 187 Корпус PG-TO263-3
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.67 |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |