IFF600B12ME4PB11BPSA1, IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006218839
- Артикул
- IFF600B12ME4PB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- ECONOD
- Configuration
- Dual
Цена по запросу
(от 50 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | ECONOD |
| Configuration | Dual |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Number of Transistors | 2 |
| Вид монтажа | Press Fit |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Transistor Configuration | Dual |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Другие названия товара № | SP001377694 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 600 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 15 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |