IFF450B12ME4PB11BPSA1, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module
![IFF450B12ME4PB11BPSA1, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/291/DOC005291131.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000868029
- Артикул
- IFF450B12ME4PB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.36
- Channel Type
- N
- Package Type
- ECONOD
- Configuration
- Dual
Цена по запросу
(от 57 930 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Технические параметры
| Вес, г | 0.36 |
| Channel Type | N |
| Package Type | ECONOD |
| Configuration | Dual |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Number of Transistors | 2 |
| Вид монтажа | Press Fit |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Transistor Configuration | Dual |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm |
| Continuous Collector Current | 450А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 450А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Maximum Continuous Collector Current | 450 A |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Другие названия товара № | SP001377612 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 450 A |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 15 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |